[发明专利]去疵性的评价方法

摘要

提供一种去疵性的评价方法，对于可成为实际的产品的器件晶片，能够简便地对去疵性进行评价。一种晶片的去疵性评价方法，包含如下的工序：去疵层形成工序，使用研磨磨轮对半导体晶片的与正面相反的一侧的背面进行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作为半导体晶片的内部的研磨痕的下部形成去疵层；拍摄工序，通过拍摄单元(31)对形成有研磨痕的背面的至少单位区域进行拍摄；计数工序，对在所拍摄的单位区域中具有10nm～500nm的宽度的研磨痕的个数进行计数；以及比较工序，对通过计数工序计数得到的研磨痕的个数是否为规定的值以上进行比较。

主权项

一种去疵性的评价方法，对在正面上形成有多个器件的半导体晶片的去疵性进行评价，其中，该去疵性的评价方法具有如下的工序：去疵层形成工序，使用研磨磨轮对所述半导体晶片的与所述正面相反的一侧的背面进行研磨并在所述背面形成研磨痕，并且在作为所述半导体晶片的内部的所述研磨痕的下部形成去疵层；拍摄工序，通过拍摄单元对形成有所述研磨痕的所述背面的至少单位区域进行拍摄；计数工序，对所拍摄的所述单位区域中具有10nm～500nm的宽度的研磨痕的个数进行计数；以及比较工序，对通过所述计数工序计数得到的所述研磨痕的个数是否为规定的值以上进行比较，在所述比较工序中，根据所述计数得到的所述研磨痕的个数对去疵层的状态进行评价。