[发明专利]去疵性的评价方法

说明书

提供一种去疵性的评价方法，对于可成为实际的产品的器件晶片，能够简便地对去疵性进行评价。一种晶片的去疵性评价方法，包含如下的工序：去疵层形成工序，使用研磨磨轮对半导体晶片的与正面相反的一侧的背面进行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作为半导体晶片的内部的研磨痕的下部形成去疵层；拍摄工序，通过拍摄单元(31)对形成有研磨痕的背面的至少单位区域进行拍摄；计数工序，对在所拍摄的单位区域中具有10nm～500nm的宽度的研磨痕的个数进行计数；以及比较工序，对通过计数工序计数得到的研磨痕的个数是否为规定的值以上进行比较。

技术领域

本发明涉及对晶片的去疵性进行评价的方法。

背景技术

近年来，由于器件的小型化等而将形成器件后的晶片(以下，称为“器件晶片”。)加工得较薄。但是，例如，当对器件晶片进行研磨而使其厚度薄化至100μm以下时，对器件而言存在对有害的Cu等金属元素进行捕捉的去疵效果降低而产生器件的动作不良的担心。为了解决该问题，进行在器件晶片上形成捕获金属元素的去疵层的步骤(例如，参照专利文献1)。在该加工方法中，通过按照规定的条件对器件晶片进行磨削，一边维持器件晶片的抗弯强度一边形成包含规定的磨削应变的去疵层。

并且，作为去疵性的评价方法，存在如下方法：在利用金属元素对器件晶片的背面侧进行了强制污染之后，在正面侧对金属元素的原子量进行测量，在所测量的金属原子的原子量未达到规定的检测界限的情况下，判断为去疵性充分(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2009-094326号公报

专利文献2：日本特开2012-238732号公报

然而，在实际上利用金属元素将器件晶片污染而对去疵性进行评价的方法中，不仅花费工夫，而且无法从该器件晶片得到合格的器件芯片。并且，该方法使用的是评价用的器件晶片，对于可成为产品的器件晶片，无法对去疵性进行评价。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供去疵性的评价方法，对于可成为实际的产品的器件晶片，能够简便地对去疵性进行评价。

根据本发明，提供一种去疵性的评价方法，对在正面上形成有多个器件的半导体晶片的去疵性进行评价，其中，该去疵性的评价方法具有如下的工序：去疵层形成工序，使用研磨磨轮对半导体晶片的与正面相反的一侧的背面进行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作为半导体晶片的内部的研磨痕的下部形成去疵层；拍摄工序，通过拍摄单元对形成有研磨痕的背面的至少单位区域进行拍摄；计数工序，对在所拍摄的单位区域中具有10nm～500nm的宽度的研磨痕的个数进行计数；以及比较工序，对通过计数工序计数得到的研磨痕的个数是否为规定的值以上进行比较，在比较工序中，根据计数得到的研磨痕的个数对去疵层的状态进行评价。

优选在上述评价方法中，单位区域的面积为10(μm)²，研磨痕的个数的规定的值为8个/10(μm)²。

本发明的发明者发现在研磨痕的个数与去疵性之间存在相关关系。在本发明中，能够根据通过对半导体晶片的背面进行研磨而形成的规定的宽度的研磨痕的个数是否为规定的值以上来评价去疵性。因此，能够将可成为实际的产品的器件晶片作为评价的对象。并且，由于仅对磨削痕的个数进行计数即可，所以能够简便地进行评价。

附图说明

图1是示出研磨装置的例子的立体图。

图2是示出对半导体晶片进行研磨的状态的主视图。

图3是示出去疵性评价装置的例子的立体图。

图4是示出构成去疵性评价装置的拍摄单元的剖视图。

图5是示出形成于半导体晶片的背面的研磨痕的例子的图像。

图6是示出对半导体晶片进行磨削和研磨的加工装置的例子的立体图。