[发明专利]一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔，且其上溅射方阻值不同的热敏层薄膜，能够更好地吸收不同波段的红外能量，然后转换成电学信号进行处理进行图像输出。本发明还涉及一种制备上述芯片的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及封装测试的步骤，所述芯片能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作。

主权项

1.一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，其特征在于：包括带有ASIC电路的衬底和具有微桥支撑结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的ASIC电路电连接，所述探测器分为呈矩阵排列的四个区域，分别为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；所述探测器包括所述衬底上的金属反射层和绝缘介质层，所述金属反射层包括若干个矩阵排列的金属块，第一、三区域绝缘介质层的厚度大于第二、四区域的绝缘介质层，所述第一、三区域绝缘介质层上设有若干个金属电极，所述金属电极通过贯穿所述第一、三区域绝缘介质层的连接金属与所述金属反射层连接；所述第一、三区域的金属电极和第二、四区域的金属块上依次设有支撑层、热敏层、第一保护层，所述热敏层的面积小于所述支撑层的面积，所述第一、三区域的热敏层的方阻比第二、四区域的方阻值高200KΩ±20KΩ，所述第一保护层上开有若干个接触孔，所述接触孔的下端终止于所述热敏层；在所述第一保护层上还设有通孔，所述通孔穿过所述第一保护层和所述支撑层，终止于第二、四区域的金属块或第一三区域的金属电极；所述通孔和所述接触孔内充满电极金属，所述电极金属和第一保护层上设有第二保护层，所述热敏层与所述电极金属电连接。