[发明专利]QLED器件及其制备方法

摘要

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和氧化物层；硫化物层的材料包含化学物质为MNx化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1‑2；氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。氧化物层改变并提高了硫化物层的功函数，使其更接近PEDOT：PSS的功函数，更利于和阳极形成有效的欧姆接触；同时保留硫化物层的高载流子迁移率，没有对硫化物层的化学结构产生破坏，所以提高了QLED器件的效率。

主权项

1.一种QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和修饰所述硫化物层的氧化物层，所述硫化物层与所述阳极结合；所述硫化物层的材料包含化学物质为MNx化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1‑2；所述氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。