[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和氧化物层；硫化物层的材料包含化学物质为MN_x化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1‑2；氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。氧化物层改变并提高了硫化物层的功函数，使其更接近PEDOT：PSS的功函数，更利于和阳极形成有效的欧姆接触；同时保留硫化物层的高载流子迁移率，没有对硫化物层的化学结构产生破坏，所以提高了QLED器件的效率。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)的发光中心由量子点(Quantum dots)物质构成，由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，量子点发光二极管成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。

PEDOT：PSS是由PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体聚合物)和PSS(聚苯乙烯磺酸钠)两种物质构成的一种高分子聚合物水溶液。目前在QLED器件中，PEDOT：PSS广泛用来修饰ITO(氧化铟锡)以提高其功函数，由于PEDOT：PSS自身具有易吸水和酸性的特点，从而导致QLED器件容易衰减。为了解决上述问题，很多研究开始使用无机物材料来替代有机的PEDOT：PSS，如氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍等。除了这些常见的金属氧化物以外，金属硫化物也被用来替代PEDOT：PSS，例如硫化钼和硫化铜。硫化物载流子迁移率一般为200-500cm²V^-1s^-1，因其较高的载流子迁移率特点被广泛应用于光催化和晶体管中。但是金属硫化物的功函数要低于PEDOT：PSS，要将金属硫化物替代PEDOT：PSS并应用到QLED器件中需要对其进行修饰或改进。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件中，由于PEDOT：PSS具有易吸水和酸性导致QLED器件容易衰减、而PEDOT：PSS替代材料的功函数低的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和修饰所述硫化物层的氧化物层，所述硫化物层与所述阳极结合；

所述硫化物层的材料包含化学物质为MN_x化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1-2；所述氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。

相应地，本发明另一方面提供一种上述QLED器件的制备方法，该制备方法包括如下步骤：

提供含有底电极的衬底，所述底电极为阳极；

在所述阳极上依次沉积硫化物层和氧化物层；

在所述氧化物层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。