[发明专利]半导体存储器装置，芯片标识符产生方法与制造方法有效
| 申请号： | 201710307317.3 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108241807B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 曾柏皓;李明修;许凯捷;林昱佑;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器装置、芯片标识符产生方法与制造方法。其中，半导体存储器装置包括：多个可编程电阻式存储器单元；以及一控制器。该控制器：施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组，该第一群组从一初始电阻范围变成一中间电阻范围，以及，该第二群组落在该中间电阻范围之外；当一形成比例低于一第一形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第一形成临界比例；当该形成比例高于该第一形成临界比例但低于一第二形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第二形成临界比例；施加一编程脉冲到该第一群组和该第二群组；以及产生该半导体存储器装置的该芯片标识符。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 芯片 标识符 产生 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：多个可编程电阻式存储器单元；以及一控制器，耦接至这些可编程电阻式存储器单元，该控制器：施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组，这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组从一初始电阻范围变成一中间电阻范围，以及，这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组落在该中间电阻范围之外；根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组决定一形成比例；当该形成比例低于一第一形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第一形成临界比例；当该形成比例高于该第一形成临界比例但低于一第二形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第二形成临界比例；施加一编程脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，引发该第一群组从该中间电阻范围变化到一第一最终电阻范围，以及，引发这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组落在一第二最终电阻范围中，该第二最终电阻范围与该第一最终电阻范围不重叠；以及根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，产生该半导体存储器装置的一芯片标识符。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710307317.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
