[发明专利]半导体存储器装置，芯片标识符产生方法与制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：

多个可编程电阻式存储器单元；以及

一控制器，耦接至这些可编程电阻式存储器单元，该控制器：

施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组，这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组从一初始电阻范围变成一中间电阻范围，以及，这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组落在该中间电阻范围之外；

根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组决定一形成比例；

当该形成比例低于一第一形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第一形成临界比例；

当该形成比例高于该第一形成临界比例但低于一第二形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第二形成临界比例；

施加一编程脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，引发该第一群组从该中间电阻范围变化到一第一最终电阻范围，以及，引发这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组落在一第二最终电阻范围中，该第二最终电阻范围与该第一最终电阻范围不重叠；以及

根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，产生该半导体存储器装置的一芯片标识符。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，

该第一最终电阻范围和该第二最终电阻范围由一读取限度所隔开，该读取限度大于该初始电阻范围与该中间电阻范围之间的一限度；以及

该形成比例有关于该第一群组的一数量，以及该第一群组与该第二群组的一数量总和的一比例。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，这些可编程电阻式存储器单元包括多个可编程电阻式存储元件，这些可编程电阻式存储元件的一初始电阻高于该中间电阻范围，该第一最终电阻范围低于该中间电阻范围，该第二最终电阻范围高于该第一最终电阻范围。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，这些可编程电阻式存储器单元包括多个可编程电阻式存储元件，这些可编程电阻式存储元件的一初始电阻低于该中间电阻范围，该第一最终电阻范围高于该中间电阻范围，该第二最终电阻范围低于该第一最终电阻范围。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，

当该形成比例低于该第一形成临界比例时，该控制器增加该形成脉冲的一电平，及/或，增宽该形成脉冲的一脉冲宽度；以及

当该形成比例高于该第一形成临界比例但低于该第二形成临界比例时，该控制器增加该形成脉冲的该电平，或，增宽该形成脉冲的该脉冲宽度，或，维持该形成脉冲的该电平，或，维持该形成脉冲的该脉冲宽度。

6.一种半导体存储器装置的芯片标识符产生方法，其特征在于，该半导体存储器装置包括多个可编程电阻式存储器单元及一控制器，该芯片标识符产生方法包括：

施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组，这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组从一初始电阻范围变成一中间电阻范围，以及，这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组的电阻落在该中间电阻范围之外；

根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组决定一形成比例；

当该形成比例低于一第一形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第一形成临界比例；

当该形成比例高于该第一形成临界比例但低于一第二形成临界比例时，调整该形成脉冲，直到该形成比例高于该第二形成临界比例；

施加一编程脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，引发该第一群组从该中间电阻范围变化到一第一最终电阻范围，以及，引发这些可编程电阻式存储器单元的该第二群组的电阻落在一第二最终电阻范围中，该第二最终电阻范围与该第一最终电阻范围不重叠；以及

根据这些可编程电阻式存储器单元的该第一群组和该第二群组，产生该半导体存储器装置的该芯片标识符。