[发明专利]一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu2O/CuI电极的方法

摘要

本发明公开了一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu₂O/CuI电极的方法。该方法通过电沉积来制备Cu₂O薄膜，再将Cu₂O放入KI的弱酸性溶液中化学沉积一层CuI的方法得到Cu₂O/CuI电极。本发明的特点是以阴极还原的方法于乳酸和Cu²⁺络合的碱性混合电解液中，在60℃下进行恒电位电沉积，较短时间内就可在ITO导电玻璃上得到具有金字塔状形貌的Cu₂O薄膜电极。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，操作简便快速，同时具有环境友好等优点。

主权项

1.一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu2O/CuI电极的方法，其特征在于，步骤如下：1）用丙酮清洗ITO导电玻璃，然后在超声环境中用去离子水对导电玻璃进行清洗，接着将导电玻璃放在稀硝酸溶液中活化，最后再用去离子水清洗，完成ITO导电玻璃的活化；2）将CuSO4·5H2O溶解于蒸馏水中，并在搅拌中加入乳酸，使之与Cu2+充分络合至溶液呈深蓝色澄清状，然后加入NaOH溶液调节溶液pH值，得到澄清电解液；以活化后的ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，银‑氯化银电极为参比电极，置于该电解液中进行恒电位电沉积，电沉积所得样品用去离子水冲洗后自然晾干，得到基于ITO导电玻璃的红色Cu2O薄膜；3）将基于ITO导电玻璃的红色Cu2O薄膜放入KI溶液中，得到Cu2O/CuI电极。