[发明专利]一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu2O/CuI电极的方法

权利要求书

1.一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu₂O/CuI电极的方法，其特征在于，步骤如下：

1）用丙酮清洗ITO导电玻璃，然后在超声环境中用去离子水对导电玻璃进行清洗，接着将导电玻璃放在稀硝酸溶液中活化，最后再用去离子水清洗，完成ITO导电玻璃的活化；

2）将CuSO₄·5H₂O溶解于蒸馏水中，并在搅拌中加入乳酸，使之与Cu²⁺充分络合至溶液呈深蓝色澄清状，然后加入NaOH溶液调节溶液pH值，得到澄清电解液；以活化后的ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，银-氯化银电极为参比电极，置于该电解液中进行恒电位电沉积，电沉积所得样品用去离子水冲洗后自然晾干，得到基于ITO导电玻璃的红色Cu₂O薄膜；

3）将基于ITO导电玻璃的红色Cu₂O薄膜放入KI溶液中，得到Cu₂O/CuI电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，丙酮清洗ITO导电玻璃的次数为3～5次，超声波清洗时间为30～60min。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，导电玻璃在稀硝酸溶液中的活化时间为30～60s。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电解液中，CuSO₄·5H₂O的浓度为0.2mol/L，乳酸的浓度为0.3mol/L，电解液的pH为9。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，恒电位电沉积过程中，保持水浴温度60℃，相对于银-氯化银电极的阴极电位为-0.4V，沉积时间为30min。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的KI溶液浓度为2×10^-3M，并用硝酸调至pH=3。