[发明专利]薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法

摘要

本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。

主权项

1.一种对薄膜电阻的调阻工艺方法，其特征在于，所述对薄膜电阻的调阻工艺方法包括：对薄膜电阻的阻值进行放大；利用激光调阻系统对一薄膜电阻的膜层进行气化切除，以使调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在第一阈值范围内；对利用热处理箱激光调阻后的所述薄膜电阻加热至第一温度点，并维持第一温度点预设定的加热时间；依据放大倍数利用激光调阻系统再次对所述热处理箱热处理后的薄膜电阻的膜层进行气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间。