[发明专利]薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法

说明书

本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。

技术领域

本发明涉及电子元件领域，具体而言，涉及一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法。

背景技术

薄膜电阻器是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成，薄膜电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品，薄膜电阻主要以高精度、低TCR、高可靠性等优势被广泛使用，随着科学技术的发展近年来薄膜电阻的精度不仅仅只局限于B级(精度±0.1％)，而向着更高精度L级(精度±0.01％)发展。在溅射工艺稳定的前提下，激光调阻是影响阻值精度的关键。

现有技术中对薄膜电阻器的调阻存在以下缺点：1、对于L级产品而言，现有工艺粗调后热储存时间不足已较大程度的消除因激光切割而造成的膜层缺陷处的应力，致使阻值存在不稳定的情况，导致精调后产品阻值的变化超过L级精度范围要求，而致使L级产品合格率低；未按不同放大倍数进行工程因素细化，从理论上讲，不同放大倍数下调阻图形和切割区域大小不同；2、对于B级产品生产影响不明显，但对L级产品生产则会有很大影响，主要还是影响精调时工程因素，从而影响L级产品的对准率；3、工程因素范围过宽，未对L级产品工程因素进行细化，不能更好的指导L级产品的生产，造成L级产品合格率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，其以改善上述的问题。

第一方面，本发明提供了一种对薄膜电阻的调阻工艺方法，所述对薄膜电阻的调阻工艺方法包括：

对薄膜电阻的阻值进行放大；

利用激光调阻系统对一薄膜电阻的膜层进行气化切除，以使调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在第一阈值范围内；

对利用热处理箱激光调阻后的薄膜电阻加热至第一温度点，并维持第一温度点预设定的加热时间；

依据放大倍数利用激光调阻系统再次对薄膜电阻的膜层进行气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在-0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在-0.25％～0.15％之间。

进一步地，所述第二阈值范围的区间为(0，300)，所述第三阈值范围的区间为[300，+∞)。

进一步地，所述第一温度点的阈值范围为200℃～250℃，所述加热时间的时间范围为35h～45h。

进一步地，所述第一温度点为225℃，所述加热时间为40h。

进一步地，所述第一阈值范围为-1.5％～0.5％。

第二方面，本发明实施例还提供了一种薄膜电阻制造工艺方法，所述薄膜电阻制造工艺方法包括：

利用印刷的方式在一陶瓷基板基制备电极；

在所述陶瓷基板的部分区域印刷绝缘阻挡层；

将具有一定电阻率的电阻材料采用磁控溅射法溅射到陶瓷基板剩余的裸露区域从而制备出初始薄膜电阻；

对初始薄膜电阻进行热处理；

将绝缘阻挡层清除；