[发明专利]一种无台阶电极结构的CSP芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710300772.0 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107230739B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 贾钊 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种无台阶电极结构的CSP芯片及其制造方法，涉及发芯片的生产技术领域。在外延片的In‑GaN欧姆接触层表面通过旋涂正性光刻胶、光、显影做出掩膜图形，再在芯片外周蚀刻形成裸露出环形的N‑GaN限制层台阶面和中心槽；在中心槽内和台阶面上沉积SiO2，经蚀刻形成SiO2介质膜层和SiO2导电孔层；再在台阶面外表面和SiO2导电孔层外表面蒸镀银镜层，并在银镜层外表面蒸镀金属Sn层。通过该工艺可直接加热Sn层，方便地将芯片封装到封装支架的对应贴片上，不需要银胶作为粘粘剂，免去点银胶的繁琐工艺，避免了银胶层发生爬胶和银胶老化开裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 蚀刻 导电孔层 台阶电极 台阶面 银镜层 中心槽 银胶 蒸镀 欧姆接触层 正性光刻胶 繁琐工艺 封装支架 介质膜层 生产技术 芯片封装 掩膜图形 直接加热 点银胶 外延片 限制层 银胶层 胶和 贴片 外周 显影 旋涂 粘剂 沉积 制造 老化 金属 | ||
【主权项】：
1.一种无台阶电极结构的CSP芯片，包括依次设置在衬底同一侧的N型层、多量子阱层、P型层和欧姆接触层，其特征在于在芯片的外周、于N型层表面设置环形N型层台阶面，在所述环形N型层台阶面上设置环形第一银镜层，在所述环形第一银镜层表面设置环形第一金属锡层，在所述环形第一银镜层与多量子阱层、P型层、欧姆接触层之间设置SiO2介质膜层，在所述环形第一金属锡层与多量子阱层、P型层、欧姆接触层之间设置SiO2介质膜层；在所述环形第一金属锡层内侧设置第二金属锡层，所述第二金属锡层与所述环形第一金属锡层之间设置间隔，所述第二金属锡层依次通过第二银镜层和SiO2导电孔层与N型层连接。
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