[发明专利]一种无台阶电极结构的CSP芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种无台阶电极结构的CSP芯片，包括依次设置在衬底同一侧的N型层、多量子阱层、P型层和欧姆接触层，其特征在于在芯片的外周、于N型层表面设置环形N型层台阶面，在所述环形N型层台阶面上设置环形第一银镜层，在所述环形第一银镜层表面设置环形第一金属锡层，在所述环形第一银镜层与多量子阱层、P型层、欧姆接触层之间设置SiO₂介质膜层，在所述环形第一金属锡层与多量子阱层、P型层、欧姆接触层之间设置SiO₂介质膜层；在所述环形第一金属锡层内侧设置第二金属锡层，所述第二金属锡层与所述环形第一金属锡层之间设置间隔，所述第二金属锡层依次通过第二银镜层和SiO₂导电孔层与N型层连接。

2.如权利要求1所述无台阶电极结构的CSP芯片的制造方法，包括在衬底上外延生长形成包括N型层、多量子阱层、P型层和欧姆接触层的外延片；其特征在于还包括以下步骤：

1）在外延片的InGaN欧姆接触层表面通过旋涂正性光刻胶，经过曝光、显影做出掩膜图形，再利用干法蚀刻在芯片外周蚀刻形成裸露出环形的N-GaN限制层台阶面，同时自InGaN欧姆接触层中心向下依次蚀刻至裸露出N-GaN限制层，形成中心槽；

2）在中心槽内和环形的N-GaN限制层台阶面上方沉积SiO₂，通过蚀刻形成包裹在裸露的环形的N-GaN限制层台阶面一侧的多量子阱层和P型层外围SiO₂介质膜层；还依次蚀刻去除设置在中心槽区域的SiO₂、欧姆接触层和部分P型层处的SiO₂，形成位于中心槽内的SiO₂导电孔层；

3）在裸露的环形的N-GaN限制层台阶面外表面和SiO₂导电孔层外表面分别蒸镀银镜层；并通过退火使SiO₂导电孔层中的银镜层与欧姆接触层形成电学接触；

4）在银镜层外表面分别蒸镀金属锡层。

3.根据权利要求2所述无台阶电极结构的CSP芯片的制造方法，其特征在于：所述银镜层由厚度分别为200nm的Ag层和300nm的Al层组成。