[发明专利]一种多晶硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和阵列基板有效
| 申请号： | 201710300589.0 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107068552B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多晶硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和阵列基板。该多晶硅薄膜的制作方法包括：对基板上的非晶硅层进行第一次激光照射，结晶形成多晶硅层；在该多晶硅层上形成栅极绝缘层；采用连续激光器发出的激光对多晶硅层进行第二次激光照射，将该多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶。本发明实施例解决了采用现有技术制作的多晶硅薄膜，由于形成的晶粒较小，存在众多分布不均的晶粒间界，以及晶粒间界间存在较为严重的凸起，而导致将该多晶硅薄膜应用于薄膜晶体管时，薄膜晶体管的阈值电压不均匀以及漏电流较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制作方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：对基板上的非晶硅层进行第一次激光照射，结晶形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；采用连续激光器发出的激光对所述多晶硅层进行第二次激光照射，将所述多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710300589.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种快拆电池托架
- 下一篇：双电机混合动力汽车驱动系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
