[发明专利]一种多晶硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和阵列基板

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

对基板上的非晶硅层进行第一次激光照射，结晶形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；

采用连续激光器发出的激光对所述多晶硅层进行第二次激光照射，将所述多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述采用连续激光器发出的激光对所述多晶硅层进行第二次激光照射，将所述多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶，包括：

采用连续波氩离子激光器发出的激光，从所述基板的正面对所述多晶硅层进行所述第二次激光照射，所述激光穿透所述栅极绝缘层入射到所述多晶硅层，将所述多晶硅层的近表面融化并实现再次结晶。

3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述连续波氩离子激光器的工作参数为：激光功率为5～6瓦，扫描速度为4.5厘米每秒，步进为20微米。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述基板上还形成有缓冲层，所述多晶硅层形成在所述缓冲层上，所述采用连续激光器发出的激光对所述多晶硅层进行第二次激光照射，将所述多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶，包括：

采用连续波二氧化碳激光器发出的激光，从所述基板的背面对所述多晶硅层进行所述第二次激光照射，所述激光穿透所述基板、所述缓冲层和所述多晶硅层，所述激光产生的热量使得所述多晶硅层的浅表面融化并实现再次结晶。

5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述连续波二氧化碳激光器的工作参数为：激光功率为5～6瓦或者小于10瓦，激光功率密度为300～500瓦每平方厘米，扫描速度为1毫米每秒，交叠率大于50％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述连续激光器为用于连续输出持续时间大于0.25秒的激光器。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括依次形成的二氧化硅层和氮化硅层，所述对基板上的非晶硅层进行第一次激光照射，结晶形成多晶硅层，包括：

在所述基板上依次形成缓冲层和所述非晶硅层；

对所述非晶硅层进行高温处理；

采用准分子激光器对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，结晶形成所述多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述缓冲层包括氮化硅层和二氧化硅层；或者，所述缓冲层包括氮化硅层或所述二氧化硅层。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：所述薄膜晶体管的有源层为采用如权利要求1～8中任一项所述的多晶硅薄膜的制作方法制作。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：在基板上形成的如权利要求9所述的薄膜晶体管。