[发明专利]存储器

摘要

本发明提供了一种存储器，字线包括位于所述有源区中的栅极和位于隔离区中的导电层，栅极和导电层相互连接，在对应字线位置且靠近栅极下方的衬底的隔离区中还形成有微沟槽，微沟槽中填充有导电层，从而使填充有导电层的微沟槽和有源区中的衬底在高度方向上至少部分空间重叠。当存储晶体管导通时，在微沟槽与有源区衬底空间重叠的衬底区域中也能够形成一导电区域，导电区域构成了导电沟道的一部分，这相当于增加了导电沟道的宽度，有利于提高存储晶体管的驱动电流和导通电流。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上定义有多个形成有存储晶体管的有源区和位于所述有源区外围的隔离区；字线，包括位于所述有源区中的栅极和位于所述隔离区中的导电层，所述栅极和所述导电层相互连接；以及，微沟槽，位于所述隔离区的对应字线位置中且靠近所述栅极下方的衬底，所述导电层更填充于所述微沟槽中；沟槽隔离结构，形成在所述衬底的所述隔离区中，在所述隔离区对应所述字线的位置中，所述导电层形成在所述沟槽隔离结构上，所述微沟槽位于所述沟槽隔离结构靠近所述栅极的侧壁上；其中，所述沟槽隔离结构包括隔离沟槽和介电材料，所述隔离沟槽形成在所述衬底中，所述介电材料形成在所述隔离沟槽中，所述微沟槽形成在所述介电材料对应字线且靠近所述栅极的位置中，所述导电层形成在所述介电材料上；并且，所述介电材料包括：第一介质层，所述第一介质层形成在所述隔离沟槽的底部和侧壁上，所述微沟槽形成在所述第一介质层中；以及，第二介质层，所述第二介质层形成在所述第一介质层上，以填充所述隔离沟槽；在所述沟槽隔离结构对应字线的位置中，所述第一介质层低于所述第二介质层，使所述第二介质层和所述隔离沟槽的侧壁之间形成一凹陷区域，所述凹陷区域用于构成所述微沟槽。