[发明专利]一种多晶硅铸锭的化料工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域，特别是多晶硅铸锭领域。一种多晶硅铸锭的化料工艺，按照如下的步骤进行步骤一、装料，步骤二、抽真空和检漏，步骤三、预热段，步骤四、升温，将多晶铸锭炉顶部温度升至1550‑1570℃，侧部温度升至1500‑1520℃，底部温度升至至1380‑1390℃；步骤五、熔融段，步骤六、长晶，步骤七、退火冷却。本发明的有益效果是：本发明降低化料周期4‑6小时，硅锭底部籽晶面积达到100%全覆盖，整锭电池转换效率由18.42%提升至18.54%，A、B、C三区效率分别为到18.53%、18.54%、18.56%，大幅度降低效率的离散度，品质更加均匀，解决了硅锭边角区域的质量短板问题。

主权项

1.一种多晶硅铸锭的化料工艺，其特征在于：按照如下的步骤进行步骤一、装料，首先在坩埚里铺一层20‑30mm的碎硅片，然后把多晶边皮、多晶头尾、原生多晶、母合金装到坩埚内，再把坩埚用叉车投到多晶铸锭炉内；步骤二、抽真空和检漏，将多晶铸锭炉内抽真空，当炉内压力下降到0.03bar时，抽真空装置开始检漏，60S内压力回升小于0.02bar时即为合格；步骤三、预热段，预热段整个过程多晶铸锭炉的顶部功率、侧部功率、底部功率的功率比为8:9:8，预热段分为前预热段和后预热段，在前预热段，氩气流量为0L/min，真空度为0.03mbar，持续时间180min，在后预热段，氩气流量为55L/min，真空度为600mbar，持续时间65min；步骤四、升温，将多晶铸锭炉顶部温度升至1550‑1570℃，侧部温度升至1500‑1520℃，底部温度升至至1380‑1390℃；步骤五、熔融段，熔融段分为速熔、缓熔和慢熔三个阶段；速熔，持续时间360min，顶部温度维持 1550‑1570℃，侧部温度维持1500‑1520℃，底部温度维持1380‑1390℃；缓熔，持续时间300min，顶部温度维持1550‑1570℃，侧部温度降温到1460‑1470℃并维持，底部温度降温到1300‑1320℃并维持；慢熔，顶部温度维持1550‑1570℃，侧部温度降温到1430‑1440℃并维持，底部温度降温到1250‑1260℃并维持，持续时间120‑300min后，用高纯石英棒探测坩埚内硅料剩余情况，当籽晶层为5‑10mm时，10min内快速打开底部热门至20%，使顶部由1550‑1570℃降至1440‑1450℃，侧部由1430‑1440℃降至1414‑1425℃，底部由1250‑1260℃降至1200‑1210℃；步骤六、长晶，硅锭的生长过程，顶部由1440‑1450℃降至1410‑1420℃，侧部由1414‑1425℃降至1390‑1400℃，底部由1200‑1210℃降至1130‑1150℃；步骤七、退火冷却，依次进行退火、冷却，得到多晶硅锭。