[发明专利]一种多晶硅铸锭的化料工艺

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭的化料工艺，其特征在于：按照如下的步骤进行

步骤一、装料，首先在坩埚里铺一层20-30mm的碎硅片，然后把多晶边皮、多晶头尾、原生多晶、母合金装到坩埚内，再把坩埚用叉车投到多晶铸锭炉内；

步骤二、抽真空和检漏，将多晶铸锭炉内抽真空，当炉内压力下降到0.03bar时，抽真空装置开始检漏，60S内压力回升小于0.02bar时即为合格；

步骤三、预热段，预热段整个过程多晶铸锭炉的顶部功率、侧部功率、底部功率的功率比为8:9:8，预热段分为前预热段和后预热段，在前预热段，氩气流量为0L/min，真空度为0.03mbar，持续时间180min，在后预热段，氩气流量为55L/min，真空度为600mbar，持续时间65min；

步骤四、升温，将多晶铸锭炉顶部温度升至1550-1570℃，侧部温度升至1500-1520℃，底部温度升至至1380-1390℃；

步骤五、熔融段，熔融段分为速熔、缓熔和慢熔三个阶段；速熔，持续时间360min，顶部温度维持 1550-1570℃，侧部温度维持1500-1520℃，底部温度维持1380-1390℃；缓熔，持续时间300min，顶部温度维持1550-1570℃，侧部温度降温到1460-1470℃并维持，底部温度降温到1300-1320℃并维持；慢熔，顶部温度维持1550-1570℃，侧部温度降温到1430-1440℃并维持，底部温度降温到1250-1260℃并维持，持续时间120-300min后，用高纯石英棒探测坩埚内硅料剩余情况，当籽晶层为5-10mm时，10min内快速打开底部热门至20%，使顶部由1550-1570℃降至1440-1450℃，侧部由1430-1440℃降至1414-1425℃，底部由1250-1260℃降至1200-1210℃；

步骤六、长晶，硅锭的生长过程，顶部由1440-1450℃降至1410-1420℃，侧部由1414-1425℃降至1390-1400℃，底部由1200-1210℃降至1130-1150℃；

步骤七、退火冷却，依次进行退火、冷却，得到多晶硅锭。