[发明专利]一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法

摘要

本发明涉及一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法，包括以下步骤：(1)取聚晶金刚石复合片机械打磨，酸洗，再超声振荡清洗，烘干，得到预处理的聚晶金刚石复合片基底；(2)取预处理后的聚晶金刚石复合片基底置入微波等离子化学气相沉积设备中，在真空条件下，通入氢气至反应体系为100％氢气气氛，使聚晶金刚石复合片基底表面被氢气刻蚀；(3)再通入CH₄气体，沉积CVD金刚石涂层，完成后冷却至室温，即完成CVD金刚石涂层的沉积；在通入CH₄气体时还可以同时通入氩气。与现有技术相比，本发明的CVD金刚石涂层与聚晶金刚石复合片的膜基界面的结合强度高，不会发生粘结剂热胀冷缩和氧化所产生的热龟裂裂纹导致工具失效的问题等。

主权项

1.一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取聚晶金刚石复合片机械打磨，酸洗，再超声振荡清洗，烘干，得到预处理的聚晶金刚石复合片基底；(2)取预处理后的聚晶金刚石复合片基底置入微波等离子化学气相沉积设备中，在真空条件下，通入氢气至反应体系为100％氢气气氛，使聚晶金刚石复合片基底表面被氢气刻蚀；(3)再通入CH₄气体，沉积CVD金刚石涂层，完成后冷却至室温，即在聚晶金刚石复合片上完成CVD金刚石涂层的沉积；步骤(3)中通入CH₄气体和H₂的流量满足：CH₄和H₂的体积比为1‑3:58；步骤(3)中在沉积CVD金刚石涂层前，还同时通入了氩气，其引入量满足Ar与H₂的体积比为38‑42:58。