[发明专利]一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法

摘要

本发明涉及一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，包括纯氧化物预烧结法制备先驱粉、制备先驱块、压制支撑块、坯体的装配、单畴钇钡铜氧超导块材的生长、渗氧六个步骤；通过采用纯氧化物法在高温条件下保温预烧结制备先驱粉，相对于传统方法需要合成相纯净的YBa₂Cu₃O_7‑δ、Y₂BaCuO₅或BaCuO₂先驱粉体，简化了工艺步骤，节约了时间和能源，提高了工作效率，降低了生产成本；制备的先驱粉化学成分十分稳定，没有短时间内必须完成压块的条件限制，可以储存备用，利于工业批量化生产；另外制备的先驱粉采用常规方法压块即可，无需喷入雾化的去离子水，避免了苛刻的实验条件，也避免了宏观裂纹的产生，制备的产品超导性能更好。

主权项

1.一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）纯氧化物预烧结法制备先驱粉将氧化钇、过氧化钡与氧化铜按摩尔比为0.8～1∶2.2～2.5∶3.2～3.5球磨混合均匀，在880～910°C条件下保温5～20小时，再研磨后作为先驱粉；（2）制备先驱块将步骤（1）得到的先驱粉，使用压片机压制成圆柱体状的先驱块；（3）压制支撑块将氧化镱压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块；（4）坯体的装配在氧化铝垫片上表面由下至上依次放置氧化镁单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；（5）单畴钇钡铜氧超导块材的生长将步骤（4）装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～200℃的升温速率升温至890～930℃，保温5～15小时，以每小时60～150℃的升温速率升温至1040～1050℃，保温1～3小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1008～1015℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至995～1005℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至970～985℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材；（6）渗氧将步骤（6）得到的单畴钇钡铜氧块材放入管式炉中，在流通的氧气气氛、450～410℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钇钡铜氧超导块材。