[发明专利]一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法有效
| 申请号： | 201710290423.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107287658B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李佳伟;杨万民 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/02 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人： | 张蓓 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市长*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 烧结 法制 备单畴钇钡铜氧 超导 方法 | ||
1.一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于,包括以下步骤：
（1）纯氧化物预烧结法制备先驱粉
将氧化钇、过氧化钡与氧化铜按摩尔比为0.8～1∶2.2～2.5∶3.2～3.5球磨混合均匀，在880～910°C条件下保温5～20小时，再研磨后作为先驱粉；
（2）制备先驱块
将步骤（1）得到的先驱粉，使用压片机压制成圆柱体状的先驱块；
（3）压制支撑块
将氧化镱压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块；
（4）坯体的装配
在氧化铝垫片上表面由下至上依次放置氧化镁单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；
（5）单畴钇钡铜氧超导块材的生长
将步骤（4）装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～200℃的升温速率升温至890～930℃，保温5～15小时，以每小时60～150℃的升温速率升温至1040～1050℃，保温1～3小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1008～1015℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至995～1005℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至970～985℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材；
（6）渗氧
将步骤（6）得到的单畴钇钡铜氧块材放入管式炉中，在流通的氧气气氛、450～410℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钇钡铜氧超导块材。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，氧化钇、过氧化钡与氧化铜的摩尔比0.9:2.4:3.4。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，保温是在890°C 条件下保温10小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，是将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时120℃的升温速率升温至920℃，保温10小时，以每小时120℃的升温速率升温至1045℃，保温2小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1010℃，以每小时0.6℃的降温速率慢冷至1000℃，再以每小时0.3℃的降温速率慢冷至980℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材。
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