[发明专利]一种通过将分析物富集到尖端提高解吸电离效率的方法

摘要

一种通过将分析物富集到金属纳米锥阵列的尖端上提高分析物解吸电离效率的表面辅助激光解吸电离质谱分析方法，属于检测技术领域。通过在硅纳米锥阵列表面蒸镀金膜，使其产生表面等离子体基元传导，从而使光子能量聚集在尖端位置，形成光子库。通过在表面修饰全氟取代的烷基硫醇，使基底具有大的接触角和小的滚动角，从而使水滴在基底上的摩擦力很小，使水溶液中的分析物分子优先浓缩在尖端上，进一步提高激光能量的利用率。因此利用这种全氟取代的烷基硫醇修饰的金膜覆盖的硅纳米锥阵列作为基底检测分析物分子时，激光能量能够被充分地吸收，并被有效地利用，进而提高解吸电离分析物分子的效率，适用于各种类型的分子。

主权项

1.一种通过将分析物富集到金属纳米锥阵列的尖端上提高分析物解吸电离效率的表面辅助激光解吸电离质谱分析方法，其步骤如下：(1)在提球硅片基底上组装聚苯乙烯微球；(2)以聚苯乙烯微球作为掩膜用反应离子刻蚀技术，对提球硅片基底进行刻蚀；其特征在于，还包括如下步骤：(3)用有机溶剂除去提球硅片基底上剩余的聚苯乙烯微球，得到有序硅纳米锥阵列；(4)在制备的有序硅纳米锥阵列上沉积金膜，得到金膜覆盖的有序硅纳米锥阵列；(5)用全氟硫醇分子修饰金膜覆盖的有序硅纳米锥阵列，得到超疏水性的表面辅助激光解吸电离质谱测试基底；(6)滴加分析物溶液到超疏水性的表面辅助激光解吸电离质谱测试基底表面；(7)晾干步骤(6)中制备的样品，进行质谱检测。