[发明专利]一种半导体用热沉材料在审
| 申请号： | 201710285845.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106992243A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 | 申请（专利权）人： | 乐山凯亚达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 杜朗宇 |
| 地址： | 614000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。该热沉材料具有良好的效果，且更容易与LED芯片贴合，表面绝缘性及阻燃性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 用热沉 材料 | ||
【主权项】：
一种半导体用热沉材料，其特征在于，其原料按重量份计包括：石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。
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