[发明专利]一种半导体用热沉材料

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体用热沉材料。

背景技术

随着半导体技术及制造工艺的不断完善，LED的光通量和出光效率不断提升，功率型LED已经广泛应用在日常生活及工业生产中。然而对于大功率LED而言，芯片功率密度大，大热量无疑对其散热提出了更高的要求。

目前传统基板材料基本上采用少数能满足高热导率的金属或合金材料，但是为了保障电绝缘性，并使芯片与基板充分接触，需要在芯片与基板之间涂覆高分子聚合物介质膜，但是，该高分子聚合物介质膜的热导率通常较低，在芯片与基板之间形成了热阻界面，而且温度升高会导致性能变差。另外，该高分子介质膜与基板之间为机械结合，结合不够紧密，也影响了热传导的性能。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体用热沉材料，可以与LED芯片贴合。

为了实现上述目的，本发明所采用以下技术方案，一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。

进一步，一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯26份、稀土氧化物13份、纳米碳管5份、碳化硅5份、银导电胶3份、氧化钒2份、碳酸钙4份、羟甲基纤维素钠5份、AlN颗粒12份、氧化镁14份、三氧化二锑7份、偏硅酸钠3份。

进一步，按重量份计，石墨烯：稀土氧化物=2：1。

进一步，按重量份计，氧化镁：三氧化二锑=2：1。

作为优选，所述的稀土氧化物中为Y₂O₃。

本发明所述的热沉材料具有良好的效果，且更容易与LED芯片贴合，表面绝缘性及阻燃性能良好。

具体实施方式

下面通过具体的实施例对本发明做进一步的详细描述。

实施例1：一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯26份、Y₂O₃13份、纳米碳管5份、碳化硅5份、银导电胶3份、氧化钒2份、碳酸钙4份、羟甲基纤维素钠5份、AlN颗粒12份、氧化镁14份、三氧化二锑7份、偏硅酸钠3份。

实施例2: 一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯20份、Y₂O₃10份、纳米碳管4份、碳化硅3份、银导电胶1份、氧化钒1份、碳酸钙3份、羟甲基纤维素钠4份、AlN颗粒10份、氧化镁10份、三氧化二锑5份、偏硅酸钠2份。

实施例3：一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯30份、稀土氧化物15份、纳米碳管8份、碳化硅6份、银导电胶5份、氧化钒3份、碳酸钙5份、羟甲基纤维素钠6份、AlN颗粒15份、氧化镁20份、三氧化二锑10份、偏硅酸钠4份。

实施例4：一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括，石墨烯25份、稀土氧化物12份、纳米碳管6份、碳化硅4份、银导电胶2份、氧化钒2份、碳酸钙4份、羟甲基纤维素钠5份、AlN颗粒13份、氧化镁15份、三氧化二锑6份、偏硅酸钠3份。

以上所述仅包括本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，在本发明的精神和原则内可以有各种更改和变化，这些等同的变型或替换等，均包含在本发明的保护范围之内。