[发明专利]LED倒装芯片的制备方法

摘要

本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种LED倒装芯片的制备方法，包括提供透光衬底并在其上生长外延层；在外延层上形成并图形化欧姆接触层以形成N电极沟槽预留槽、划裂沟槽预留槽以及Mesa平台预留台；在Mesa平台预留台之上形成反射层；刻蚀出N电极沟槽和划裂沟槽以形成Mesa平台；沉积并图形化第一隔离层形成第一P导电通道和第一N导电通道；形成重新布线层；形成并图形化第二隔离层以形成第二P导电通道和第二N导电通道；制作P焊垫和N焊垫；制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计。

主权项

一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2……An的透光衬底(1001)，一个所述芯片单元区域为一个所述LED倒装芯片，其中，n≥1；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在所述外延层上方形成欧姆接触层(1002)；S4：图形化所述欧姆接触层(1002)以形成N电极沟槽预留槽(1003)、划裂沟槽预留槽(1004)以及Mesa平台预留台(1005)；S5：在所述Mesa平台预留台(1005)之上形成反射层(1006)；S6：在各所述N电极沟槽预留槽(1003)位置刻蚀出N电极沟槽(1007)，同时，在各所述划裂沟槽预留槽(1004)位置刻蚀出划裂沟槽(1008)，形成Mesa平台(1009)；S7：在所述S6结束后的整个LED倒装芯片表面上形成第一隔离层(1010)；S8：图形化所述第一隔离层(1010)以形成第一P导电通道(1011)和第一N导电通道(1012)；S9：在所述第一隔离层(1010)之上形成分别连通各所述第一P导电通道(1011)和各所述第一N导电通道(1012)的重新布线层(1013)；S10：在所述S9结束后的整个LED倒装芯片表面上形成第二隔离层(1014)；S11：图形化所述第二隔离层(1014)，以形成第二P导电通道(1015)和第二N导电通道(1016)；S12：制作分别覆盖各所述第二P导电通道(1015)和各所述第二N导电通道(1016)的P焊垫(1017)和N焊垫(1018)；S13：将各所述LED倒装芯片制作成chip。