[发明专利]LED倒装芯片的制备方法

权利要求书

1.一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2……An的透光衬底(1001)，一个所述芯片单元区域为一个所述LED倒装芯片，其中，n≥1；

S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；

S3：在所述外延层上方形成欧姆接触层(1002)；

S4：图形化所述欧姆接触层(1002)以形成N电极沟槽预留槽(1003)、划裂沟槽预留槽(1004)以及Mesa平台预留台(1005)；

S5：在所述Mesa平台预留台(1005)之上形成反射层(1006)；

S6：在各所述N电极沟槽预留槽(1003)位置刻蚀出N电极沟槽(1007)，同时，在各所述划裂沟槽预留槽(1004)位置刻蚀出划裂沟槽(1008)，形成Mesa平台(1009)；

S7：在所述S6结束后的整个LED倒装芯片表面上形成第一隔离层(1010)；

S8：图形化所述第一隔离层(1010)以形成第一P导电通道(1011)和第一N导电通道(1012)；

S9：在所述第一隔离层(1010)之上形成分别连通各所述第一P导电通道(1011)和各所述第一N导电通道(1012)的重新布线层(1013)；

S10：在所述S9结束后的整个LED倒装芯片表面上形成第二隔离层(1014)；

S11：图形化所述第二隔离层(1014)，以形成第二P导电通道(1015)和第二N导电通道(1016)；

S12：制作分别覆盖各所述第二P导电通道(1015)和各所述第二N导电通道(1016)的P焊垫(1017)和N焊垫(1018)；

S13：将各所述LED倒装芯片制作成chip；

在所述S5中，所述反射层(1006)的边缘距离所述Mesa平台预留台(1005)的边缘之间具有预设间距d1；

和/或，在所述S6中，各所述Mesa平台预留台(1005)的边缘与对应的所述N电极沟槽(1007)的边缘之间具有第二预设间距d2；

和/或，在所述S6中，各所述Mesa平台预留台(1005)的边缘与对应的所述划裂沟槽(1008)的边缘之间具有第三预设间距d3。

2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层自下而上依次为缓冲层Buffer(1019)、N型半导体层N-GaN(1020)、发光层MQW(1021)和P型半导体层P-GaN(1022)。

3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述N电极沟槽(1007)

和所述划裂沟槽(1008)的底部均位于所述N-GaN(1020)的上下表面之间。

4.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S4中，所述划裂沟槽预留槽(1004)位于各所述芯片单元区域的边缘四周，每个所述芯片单元区域中除所述N电极沟槽预留槽(1003)和所述划裂沟槽预留槽(1004)以外的区域为所述Mesa平台预留台(1005)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S13中，包含以下子步骤：

S13-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S13-2：激光划裂所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)，以将各所述LED倒装芯片分割成倒装chip。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S13中，包含以下子步骤：

S13-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S13-2：将所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)进行表面粗化；

S13-3：激光划裂所述经过表面粗化后的透光衬底(1001)，以将各所述LED倒装芯片分割成出光面粗化的倒装chip。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S13中，包含以下子步骤：

S13-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S13-2：通过激光剥离去除所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)；

S13-3：通过激光划裂将各所述LED倒装芯片分割成薄膜倒装chip。