[发明专利]一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件在审
| 申请号： | 201710276623.5 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107221598A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;张美芸;许晓欣;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件，首先，在衬底上刻蚀锥状结构；其次，在所述锥状结构表面淀积一层金属薄膜，形成下电极；在所述金属下电极上沉积一层氧化物绝缘层，形成阻变层；在所述氧化物层上沉积一层金属薄膜，形成上电极；最后，在所述上电极与所述下电极上加偏压。在施加操作电压时，由于锥状结构的尖端放电，使的锥状处的电场较其他位置增强并且集中，则阻变存储器RRAM中的导电细丝更趋向于在电场强的地方生成与断裂，从而有效地提高了阻变存储器的均一性。故而本发明既可以降低存储器的波动性、增强可靠性，又能与传统的CMOS工艺兼容，达到了提高存储器运行效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 rram 均一 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种提高RRAM均一性的方法，其特征在于，包括：在衬底上刻蚀锥状结构；在所述锥状结构表面淀积一层金属薄膜，形成下电极；在所述金属下电极上沉积一层氧化物绝缘层，形成阻变层；在所述氧化物绝缘层上沉积一层金属薄膜，形成上电极；在所述上电极与所述下电极上加偏压。
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