[发明专利]用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置有效
| 申请号： | 201710272323.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107238786B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李莹;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于器件建模技术领域，涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。方法包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。装置包括：电压获取单元，用于获取在不同体偏下的曲线测试中采用的电压；曲线测试单元，用于根据所述电压获取单元确定的电压进行不同体偏下的曲线测试，获得测试数据；参数提取单元，用于根据所述曲线测试单元获得的测试数据进行所述MOSFET器件模型参数提取。由此解决了现有技术中的不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不影响器件参数提取结果的技术问题，达到了确保MOS器件测试结果正确又兼顾体效应参数提取的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mosfet 器件 模型 参数 提取 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.用于MOSFET器件模型参数提取的方法，其特征在于，包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置,包括：使用第一电压获取模块，进行漏体结击穿测试，获得所述MOSFET器件的漏体结击穿电压Vdb；使用第二电压获取模块，确定一个小于所述漏体结击穿电压Vdb与所述MOSFET器件电源电压Vdd的差值的电压，作为所述MOSFET器件的曲线测试的体端偏置电压Vbb；使用第三电压获取模块，将所述电源电压Vdd作为体偏为所述体端偏置电压Vbb下的线性区转移曲线测试中的体与源之间的电压Vbs的最大值；使用第四电压获取模块，将所述第二电压获取模块获取的体端偏置电压Vbb作为该体端偏置电压Vbb下的饱和区转移曲线测试中的体与源之间的电压Vbs的最大值。
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