[发明专利]用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置

说明书

本发明属于器件建模技术领域，涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。方法包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。装置包括：电压获取单元，用于获取在不同体偏下的曲线测试中采用的电压；曲线测试单元，用于根据所述电压获取单元确定的电压进行不同体偏下的曲线测试，获得测试数据；参数提取单元，用于根据所述曲线测试单元获得的测试数据进行所述MOSFET器件模型参数提取。由此解决了现有技术中的不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不影响器件参数提取结果的技术问题，达到了确保MOS器件测试结果正确又兼顾体效应参数提取的技术效果。

技术领域

本发明属于器件建模技术领域，特别涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的方法和装置。

背景技术

衬偏效应(又称体效应)是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor金属氧化物半导体场效应晶体管)器件最重要的二阶效应之一，对于NMOS来说，体端加负偏压会导致阈值电压增加等现象的产生，在MOSFET器件模型参数提取中衬偏效应相关参数的提取极为重要。

以PMOS为例，根据BSIM(Berkeley short-channel IGFET model伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型)手册，一般需要进行以下几项测试进行参数提取：

1)Ids_Vgs@vds＝-0.05at different vbs测试，即不同体偏下的线性区转移曲线测试，其中X轴为Vgs(Vgatesource，也就是栅与源之间的电压)，Y轴为Ids，P为Vbs(Vbodysource，也就是体与源之间的电压)，线性区是因为vds(Vdrainsource，也就是漏与源之间的电压)＝-0.05；

2)Ids_Vgs@vds＝-Vdd at different vbs测试，即不同体偏下的饱和区转移曲线测试，其中X轴为Vgs，Y轴Ids，P为Vbs，饱和区时因为vds＝-vdd；

3)Ids_Vds@vbs＝0at different vgs测试，即体偏为0下的不同栅压下的输出曲线测试，其中X轴为Vds，Y轴为Ids，P为Vgs；

4)Ids_Vds@vbs＝vbb at different vgs测试，即体偏为vbb下的不同栅压下的输出曲线，其中X轴为Vds，Y轴为Ids，P为Vgs。

一般来讲1)2)两项测试中vbs的最大值相同且与曲线4)中的vbb相同，且一般情况下会取Vdd。

对于漏体结击穿电压小于两倍Vdd的MOSFET，如果vbb取Vdd，那么在测第2)项时会出现击穿，导致器件损伤，虽然器件并未丧失MOSFET特性，但是器件特性会发生变化，进而影响之后的测试结果；这样测试数据就不可靠，后面的参数提取就没有意义。如果vbb选择为击穿电压减去vdd，器件则不会出现击穿，但是第1)项测试就会不全面，测试的衬偏范围偏窄，进而影响衬偏效应参数的提取，无法满足参数提取对数据的要求。

因此，现有技术存在不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不能损伤器件影响器件参数提取结果的缺陷。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。

第一方面，本发明实施例中提供了一种用于MOSFET器件模型参数提取的方法，包括：

基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。

结合第一方面，本发明在第一方面的第一种实现方式中，所述基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置，包括：