[发明专利]一种光电转换结构有效
| 申请号： | 201710269695.7 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107039556B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;马世俊;徐勤伟;高佳青;谭晓川;李佳城;陆荣国;刘永;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/07 | 分类号： | H01L31/07;H01L31/054 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光电转换结构，包括：P型硅衬底层，其背面设有抗反射膜层，其表面设有尖锥状微纳阵列形成的黑硅层，所述黑硅层上由内至外依次设有PtSi薄膜层，热空穴反射介质层和电极层形成非平面微结构，其中，黑硅层与PtSi薄膜层形成肖特基结，PtSi薄膜层、热空穴反射介质层和电极层三者形成反射光腔。本发明利用黑硅的陷光效应并构建非平面结构反射光腔，使得本发明结构在宽光谱范围内能够实现强吸收、高响应，进而解决了现有技术光电探测器响应光谱窄以及太阳能电池光电转换效率低的问题。本发明可广泛应用于光生电技术领域中，例如太阳能电池技术以及光电探测器技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 转换 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换结构，其特征在于，包括：P型衬底层(2)，PtSi薄膜层(4)，热空穴反射介质层(5)和电极层(6)，所述P型衬底层(2)表面设有尖锥状微纳阵列形成黑硅层(3)，所述黑硅层(3)表面由内至外依次设有PtSi薄膜层(4)、热空穴反射介质层(5)和电极层(6)形成非平面微结构；其中，黑硅层(3)与PtSi薄膜层(4)形成肖特基结，PtSi薄膜层(4)、热空穴反射介质层(5)和电极层(6)三者形成反射光腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710269695.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：重压和移动手势
- 下一篇：用于改进的沉浸式内容流化的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
