[发明专利]一种光电转换结构

权利要求书

1.一种光电转换结构，其特征在于，包括：P型衬底层(2)，PtSi薄膜层(4)，热空穴反射介质层(5)和电极层(6)，所述P型衬底层(2)表面设有尖锥状微纳阵列形成黑硅层(3)，所述黑硅层(3)表面由内至外依次设有PtSi薄膜层(4)、热空穴反射介质层(5)和电极层(6)形成非平面微结构；其中，黑硅层(3)与PtSi薄膜层(4)形成肖特基结，PtSi薄膜层(4)、热空穴反射介质层(5)和电极层(6)三者形成反射光腔。

2.根据权利要求1所述的一种光电转换结构，其特征在于，P型硅衬底层(2)的厚度为1～10μm。

3.根据权利要求1所述的一种光电转换结构，其特征在于，黑硅层(3)的微纳阵列中任一尖锥的底面直径不小于0.5μm，任一尖锥的高度不小于2μm。

4.根据权利要求3所述的一种光电转换结构，其特征在于，任一尖锥的高度与底面直径之比不小于5∶1。

5.根据权利要求1所述的一种光电转换结构，其特征在于，PtSi薄膜层(4)的厚度不大于50nm。

6.根据权利要求1所述的一种光电转换结构，其特征在于，热空穴反射介质层(5)的材料为Si₃N₄。

7.根据权利要求1所述的一种光电转换结构，其特征在于，电极层(6)的材料为Al。

8.根据权利要求7所述的一种光电转换结构，其特征在于，铝电极层的厚度不小于100纳米。

9.根据权利要求1至8任一项所述的一种光电转换结构，其特征在于，还包括设置于P型衬底层(2)背面的抗反射膜层(1)。

10.根据权利要求9所述的一种光电转换结构，其特征在于，所述光电转换结构被用作光电探测器或者太阳能电池。