[发明专利]MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置

摘要

本发明提供一种MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置，用以改善气体浪费和颗粒污染。其中的气体供应装置包括气体喷淋头(14)，气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，第一气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，第二气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；多个气体通道，分别与第一气体扩散区的两个扩散室、第二气体扩散区的两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。

主权项

1.一种用于MOCVD的气体供应装置，包括：第一气体源与第二气体源，分别用于供应第一气体与第二气体，第一、二气体在反应腔(10)内参与反应并在基片表面生成膜层；气体管路，与第一、二气体源相连，用于传输第一、二气体；气体喷淋头(14)，与气体管路相连，用于将第一、二气体送入反应腔内，所述气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，所述第一气体扩散区位于所述第二气体扩散区的上方，所述第一气体扩散区至少包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，所述第二气体扩散区至少包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；多个气体通道，分别与所述第一气体扩散区的所述两个扩散室、第二气体扩散区的所述两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。