[发明专利]MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置

权利要求书

1.一种用于MOCVD的气体供应装置，包括：

第一气体源与第二气体源，分别用于供应第一气体与第二气体，第一、二气体在反应腔(10)内参与反应并在基片表面生成膜层；

气体管路，与第一、二气体源相连，用于传输第一、二气体；

气体喷淋头(14)，与气体管路相连，用于将第一、二气体送入反应腔内，所述气体喷淋头内设置有：

第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，所述第一气体扩散区位于所述第二气体扩散区的上方，所述第一气体扩散区至少包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，所述第二气体扩散区至少包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；

多个气体通道，分别与所述第一气体扩散区的所述两个扩散室、第二气体扩散区的所述两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；

所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。

2.如权利要求1所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，所述气体管路包括一阀组(30)，通过所述阀组内阀的开关切换可实现某一个或某一些扩散室通入的气体在第一气体与第二气体之间转换。

3.如权利要求2所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，用于连接第一气体源的气体管路包括两路，一路(211)直接连接于第一气体扩散区的一个扩散室(A2)，另一路(212、31)通过所述阀组(30)连接于第一气体扩散区的另一个扩散室(A1)；

用于连接第二气体源的气体管路包括两路，一路(221)直接连接于第二气体扩散区的一个扩散室(B1)，另一路(222、32)通过所述阀组(30)连接于第二气体扩散区的另一个扩散室(B2)。

4.如权利要求3所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，所述阀组包括四个阀(V1，V3，V4与V2)，该四个阀由气体管连接成一个首尾相通的圆环，相邻阀之间的气体管上设置有接口；其中，阀(V1)与阀(V2)之间的接口与所述第一气体源相连通，阀(V2)与阀(V4)之间的接口与所述第一气体扩散区的一扩散室(A1)相连通，阀(V4)与阀(V3)之间的接口与所述第二气体源相连通，阀(V3)与阀(V1)之间的接口与所述第二气体扩散区的一扩散室(B2)相连通。

5.如权利要求1所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，所述气体供应装置还包括第三气体源，用于提供第三气体，所述第三气体被通入反应腔后并不参与反应。

6.如权利要求5所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，所述气体喷淋头内还设置有第三气体扩散区，用于容纳所述第三气体。

7.如权利要求5所述的用于MOCVD的气体供应装置，其特征在于，所述第一气体扩散区内扩散室的数目大于2，所述第二气体扩散区内扩散室的数目大于2。

8.一种用于MOCVD的气体供应装置，包括：

第一气体源与第二气体源，分别用于供应第一气体与第二气体，第一、二气体在反应腔内参与反应并在基片表面生成膜层；

气体喷淋头，设置于MOCVD反应腔的上方，所述气体喷淋头内设置有：

气体扩散区，所述气体扩散区被隔离而形成至少两个扩散室，其中的至少一个扩散室通过开关装置既与第一气体源相连也与第二气体源相连，使得该扩散室既可充满第一气体也可充满第二气体；

与每一扩散室相连通的多个气体通道，所述气体通道的一端与气体扩散室连通，另一端通过所述气体喷淋头的底面连通至反应腔，用于将第一、二气体源内的气体依次经气体扩散室、气体通道传输至反应腔内；

所述气体喷淋头内设置有至少两层气体扩散区：第一气体扩散区、第二气体扩散区，所述第一气体扩散区位于所述第二气体扩散区的上方，每一气体扩散区内均设置有相互气体隔离的至少两个扩散室。