[发明专利]晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法在审
| 申请号： | 201710255947.0 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106910697A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 任常瑞;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，包括如下步骤1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。本发明可在较低的能耗下，快速的对晶体硅太阳能电池片进行光衰测试，从而达到实时监控生产工艺的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 片抗光衰 能力 检测 方法 | ||
【主权项】：
晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η1；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量，得到二次效率值η2；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；实际光衰率=（η1－η2）/η1×100%；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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