[发明专利]晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法在审
| 申请号： | 201710255947.0 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106910697A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 任常瑞;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 片抗光衰 能力 检测 方法 | ||
1.晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η1；
2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；
3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量，得到二次效率值η2；
4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；
实际光衰率=（η1－η2）/η1×100%；
5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述电注入的方式为：对晶体硅太阳能电池片施加正偏电压。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，在250～350℃的温度条件下，进行电注入。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述电注入过程中，注入电流控制在600～800mA/cm2。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述电注入的时间控制在0.5～1min。
6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，在300～350℃的温度条件下，进行电注入。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述电注入的时间控制在0.5min。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述良品光衰率为1%～2%。
9.根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片为多晶硅电池片或单晶硅电池片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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