[发明专利]一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺有效
| 申请号： | 201710254026.2 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106884207B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李旭敏;周晓康;陈发勤;梁学勤;李普;李宏;张军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 42103 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人： | 彭永念 |
| 地址： | 443007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，涉及多晶硅铸锭领域，用于改善硅锭退火过程中的杂质扩散等问题，其在硅锭凝固完全后不需升高炉温而直接进行降温，避免了升温过程中杂质的扩散，使硅锭头尾及四周低少子寿命区域面积更小，降低了硅锭内部杂质，提高了硅锭的成晶率，从而提高了硅锭质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多晶 硅锭成晶率 退火 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，其特征在于，在退火的全过程中，关闭隔热笼及气冷石墨冷却块的阀门，顶部加热器温度设定范围为1400℃-1300℃，时间范围50-70分钟，在此时间范围内温度逐渐降低的进行退火；/n具体的退火程序依次为/n1）顶部加热器温度设定为1390℃-1400℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间设定为10-15分钟；/n2）顶部加热器温度设定为1350℃-1360℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间设定为15-20分钟；/n3）顶部加热器温度设定为1300℃-1310℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间设定为15-20分钟；/n4）顶部加热器温度设定为1300-1305℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间设定为10-15分钟；/n通过上述操作完成退火工艺；其中顶侧系数指顶部加热器与侧部加热器的功率输出比值；所述退火工艺中的设备为晶盛双电源气冷铸锭炉，或者其他具有隔热笼、顶部加热器、侧部加热器和气冷石墨冷却块的铸锭炉。/n
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