[发明专利]一种基于FinFET器件的三态反相器

摘要

本发明公开了一种基于FinFET器件的三态反相器，包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第一P型FinFET管和第二P型FinFET管，第一P型FinFET管为高阈值P型FinFET管，第一N型FinFET管为高阈值N型FinFET管，第二P型FinFET管为低阈值P型FinFET管，第二N型FinFET管为低阈值N型FinFET管；优点是通过用第一P型FinFET管来实现原由反相管和使能管两个P型FinFET管的功能，第一N型FinFET管也实现了集输入端和使能端共同控制的效果，通过用第一N型FinFET管来实现原由反相管和使能管两个N型FinFET管的功能，电路面积、延时、功耗和功耗延时积也得到了较大的优化。

主权项

一种基于FinFET器件的三态反相器，其特征在于包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第一P型FinFET管和第二P型FinFET管，所述的第一P型FinFET管为高阈值P型FinFET管，所述的第一N型FinFET管为高阈值N型FinFET管，所述的第二P型FinFET管为低阈值P型FinFET管，所述的第二N型FinFET管为低阈值N型FinFET管；所述的第一P型FinFET管的源极和所述的第二P型FinFET管的源极均接入电源，所述的第一P型FinFET管的前栅和所述的第一N型FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的三态反相器的输入端，所述的第一P型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的前栅、所述的第二P型FinFET管的背栅、所述的第二N型FinFET管的前栅和所述的第二N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的三态反相器的使能端，所述的第一P型FinFET管的漏极和所述的第一N型FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的三态反相器的输出端，所述的第二P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的背栅和所述的第二N型FinFET管的漏极连接，所述的第一N型FinFET管的源极和所述的第二N型FinFET管的源极均接地。