[发明专利]一种基于FinFET器件的三态反相器

权利要求书

1.一种基于FinFET器件的三态反相器，其特征在于包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第一P型FinFET管和第二P型FinFET管，所述的第一P型FinFET管为高阈值P型FinFET管，所述的第一N型FinFET管为高阈值N型FinFET管，所述的第二P型FinFET管为低阈值P型FinFET管，所述的第二N型FinFET管为低阈值N型FinFET管；

所述的第一P型FinFET管的源极和所述的第二P型FinFET管的源极均接入电源，所述的第一P型FinFET管的前栅和所述的第一N型FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的三态反相器的输入端，所述的第一P型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的前栅、所述的第二P型FinFET管的背栅、所述的第二N型FinFET管的前栅和所述的第二N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的三态反相器的使能端，所述的第一P型FinFET管的漏极和所述的第一N型FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的三态反相器的输出端，所述的第二P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的背栅和所述的第二N型FinFET管的漏极连接，所述的第一N型FinFET管的源极和所述的第二N型FinFET管的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于FinFET器件的三态反相器，其特征在于所述的第一P型FinFET管的阈值电压为0.63V，所述的第一N型FinFET管的阈值电压为0.70V，所述的第二P型FinFET管的阈值电压为0.16V，所述的第二N型FinFET管的阈值电压为0.33V。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于FinFET器件的三态反相器，其特征在于所述的第一N型FinFET管鳍的个数为1，所述的第二N型FinFET管鳍的个数为1，所述的第一P型FinFET管鳍的个数为1，所述的第二P型FinFET管鳍的个数为1。