[发明专利]一种基于FinFET晶体管的一位全加器

摘要

本发明公开了一种基于FinFET晶体管的一位全加器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第一反相器和第二反相器，第一FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第十FinFET管和第十一FinFET管均为P型FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管和第十三FinFET管均为N型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。

主权项

一种基于FinFET晶体管的一位全加器，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第一反相器和第二反相器，所述的第一FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第十FinFET管和所述的第十一FinFET管均为P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十二FinFET管和所述的第十三FinFET管均为N型FinFET管，所述的第一FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第十二FinFET管和所述的第十三FinFET管均为高阈值FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十FinFET管和所述的第十一FinFET管均为低阈值FinFET管，所述的第一反相器和所述的第二反相器为电路结构相同的低阈值反相器；所述的第一FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的源极和所述的第十FinFET管的源极均接入电源，所述的第一FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的源极、所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的前栅、所述的第十FinFET管的前栅和所述的第十三FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第一加数信号输入端，用于接入第一加数信号；所述的第一FinFET管的背栅、所述的第二FinFET管的源极、所述的第三FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第五FinFET管的漏极、所述的第六FinFET管的背栅和所述的第十FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第二加数信号输入端，用于接入第二加数信号；所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第三FinFET管的源极和所述的第十三FinFET管的背栅连接，所述的第四FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的源极、所述的第六FinFET管的漏极、所述的第七FinFET管的前栅、所述的第八FinFET管的前栅、所述的第八FinFET管的背栅、所述的第九FinFET管的漏极、所述的第十一FinFET管的前栅和所述的第十二FinFET管的前栅连接，所述的第六FinFET管的源极接地，所述的第七FinFET管的漏极、所述的第八FinFET管的漏极、所述的第九FinFET管的源极和所述的第一反相器的输入端连接，所述的第一反相器的输出端为所述的一位全加器的输出端，输出和信号，所述的第七FinFET管的背栅、所述的第八FinFET管的源极、所述的第九FinFET管的前栅、所述的第九FinFET管的背栅、所述的第十一FinFET管的背栅和所述的第十二FinFET管的背栅连接且其连接端为所述一位全加器的低位进位信号输入端，用于接入低位进位信号，所述的第十FinFET管的漏极和所述的第十一FinFET管的源极连接，所述的第十一FinFET管的漏极、所述的第十二FinFET管的漏极、所述的第十三FinFET管的漏极和所述的第二反相器的输入端连接，所述的第二反相器的输出端为所述的一位全加器的高位进位信号输出端，用于输出高位进位信号，所述的第十二FinFET管的源极和所述的第十三FinFET管的源极均接地。