[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201710252668.9 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107305917B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李锦珠;李剡劤;金京完;柳龙禑;张美萝 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：基板；半导体层叠体，位于基板上，包括下部半导体层、上部半导体层及配置于下部半导体层和上部半导体层之间的活性层，并具有通过上部半导体层、活性层及下部半导体层而使基板露出的分离槽；第一电极板及上部延伸部，与上部半导体层电连接；第二电极板及下部延伸部，与下部半导体层电连接；连接部，横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，其宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，夹设于下部延伸部和下部半导体层之间；第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和下部半导体层之间，第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各个点的宽度大于下部延伸部的宽度,第二电流阻挡层的宽度比第二电极板的宽度窄。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，并具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；第一电极板及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；第二电极板及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各个点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的隔开的距离大。
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