[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201710252668.9 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107305917B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 李锦珠;李剡劤;金京完;柳龙禑;张美萝 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
一种发光二极管,包括:基板;半导体层叠体,位于基板上,包括下部半导体层、上部半导体层及配置于下部半导体层和上部半导体层之间的活性层,并具有通过上部半导体层、活性层及下部半导体层而使基板露出的分离槽;第一电极板及上部延伸部,与上部半导体层电连接;第二电极板及下部延伸部,与下部半导体层电连接;连接部,横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部,其宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度;第一电流阻挡层,夹设于下部延伸部和下部半导体层之间;第二电流阻挡层,夹设于所述第二电极板和下部半导体层之间,第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点,各个点的宽度大于下部延伸部的宽度,第二电流阻挡层的宽度比第二电极板的宽度窄。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,更为具体地涉及一种高效发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态发光元件。发光二极管在背光单元、照明装置、信号机、大型显示器等中作为光源而广为利用。随着照明用LED市场扩大且照明用LED的应用范围向大电流密度、大功率输出领域方向扩大,要求改善在大电流驱动时的用于稳定的驱动的发光二极管的特性。
通常,如果增加施加到发光二极管的电流密度,则从发光二极管发射出的光量也会增加。然而,随着电流密度的增加,发生外部量子效率下降的下垂(droop)现象。下垂现象意味着光损耗比率随着电流密度的增加而增加,下垂现象阻碍提高由lm/W表示的发光效率(efficacy)。
发明内容
本发明所要解决的课题是提供一种适合提供高效发光元件的发光二极管。
本发明所要解决的另一课题是提供一种下垂现象得到改善的发光二极管。
本发明所要解决的又一课题是提供一种电连接两个以上的发光单元的连接部的断开故障得到改善的发光二极管。
根据本发明的一实施例,提供一种半导体二极管,其包括:基板;配置于所述基板上的第一至第四发光单元;第一电极板;以及第二电极板,各发光单元包括下部半导体层、上部半导体层以及夹设于所述下部半导体层和上部半导体层之间的活性层,所述下部半导体层包括相互隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层,所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层,所述第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层,所述第一发光单元与所述第三发光单元串联连接,所述第二发光单元与所述第四发光单元串联连接,所述第一电极板电连接于所述第一发光单元和所述第二发光单元的上部半导体层,所述第二电极板电连接于所述第三发光单元和所述第四发光单元的下部半导体层。
根据本发明的另一实施例,提供一种发光二极管,其特征在于,包括:基板;半导体层叠体,位于所述基板上,包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层,具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽;第一电极板以及上部延伸部,与所述上部半导体层电连接;第二电极板以及下部延伸部,与所述下部半导体层电连接;连接部,横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部,具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度;第一电流阻挡层,夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间;以及第二电流阻挡层,夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间,其中,所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点,各点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽,所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄,从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的间隔距离大。
在基板上配置多个发光单元,从而可以串联或者并联连接发光单元而使用。通过串联连接发光单元,可以减少发光二极管的驱动电流,由此可以减少电流密度,因此能够改善发光效率。另外,通过并联连接发光单元,可以使输入到发光单元的电流均匀地分散到发光单元,因此可以改善下垂现象。另外,通过在下部半导体层和下部延伸部之间采用具有比下部延伸部的宽度更大的宽度的电流阻挡层,可以防止电流集中在特定的区域而使其均匀地分散到发光单元的宽广的区域,因此进一步能够改善下垂现象。
附图说明
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