[发明专利]一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片结构及其制作方法，其中制作方法包括：在衬底上沉积二氧化硅薄膜，利用光刻技术制备二氧化硅掩膜，在二氧化硅掩膜层上沉积金属反射层，接着依次生长缓冲层、N型半导体、有源层、P型半导体、绝缘层、金属反射层以及钝化层。采用光刻技术对外延片进行刻蚀至P型半导体层，制备透明导电层，接着采用光刻技术对外延片进一步刻蚀至N型半导体层，分别在N型半导体层和透明导电层上制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的工艺生产流程，在常用LED器件结构中引入金属反射层，能够将常规LED不能利用的光线经多次反射后被利用，减小光线在衬底表面发生全反射的几率，进而提升LED芯片的发光效率。

主权项

1.一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述的LED芯片的结构包括衬底（100），掩膜（102），第一金属反射层（103），缓冲层（104），N型电极（112），N型半导体层（105），有源层（106），绝缘层（108），第二金属反射层（109），钝化层（110），P型半导体层(107)，透明导电层（111），P型电极（113）；所述的制作方法为：（1）提供衬底，在衬底正面沉积SiO₂层；（2）利用光刻技术制备SiO₂掩膜；所述的SiO₂掩膜上形成开口，能够便于沉积第一金属反射层和横向外延过生长N型半导体层；（3）在所述的SiO₂掩膜上沉积第一金属反射层；（4）在所述的第一金属反射层上依次沉积缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；（5）刻蚀所述的P型半导体层、有源层、N型半导体层形成柱状结构；（6）在柱状结构表面沉积绝缘层、第二金属反射层；（7）在第二金属反射层上沉积钝化层；（8）刻蚀至P型半导体层上表面，在P型半导体层的表面形成透明导电层；（9）刻蚀所述的钝化层、第二金属反射层、绝缘层和缓冲层至第一金属反射层表面；（10）在第一金属反射层上制备N型电极；（11）在透明导电层上制备P型电极。