[发明专利]一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述的LED芯片的结构包括衬底（100），掩膜（102），第一金属反射层（103），缓冲层（104），N型电极（112），N型半导体层（105），有源层（106），绝缘层（108），第二金属反射层（109），钝化层（110），P型半导体层(107)，透明导电层（111），P型电极（113）；

所述的制作方法为：

（1）提供衬底，在衬底正面沉积SiO₂层；

（2）利用光刻技术制备SiO₂掩膜；所述的SiO₂掩膜上形成开口，能够便于沉积第一金属反射层和横向外延过生长N型半导体层；

（3）在所述的SiO₂掩膜上沉积第一金属反射层；

（4）在所述的第一金属反射层上依次沉积缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；

（5）刻蚀所述的P型半导体层、有源层、N型半导体层形成柱状结构；

（6）在柱状结构表面沉积绝缘层、第二金属反射层；

（7）在第二金属反射层上沉积钝化层；

（8）刻蚀至P型半导体层上表面，在P型半导体层的表面形成透明导电层；

（9）刻蚀所述的钝化层、第二金属反射层、绝缘层和缓冲层至第一金属反射层表面；

（10）在第一金属反射层上制备N型电极；

（11）在透明导电层上制备P型电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述的第一和第二金属反射层为Ag薄膜。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，对外延层进行刻蚀，刻蚀停止在所述的P型半导体层中。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述P型半导体层上沉积透明导电层，制备P型电极。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，对外延层进行刻蚀，刻蚀停止在所述的第一金属反射层，制备N型电极。