[发明专利]一种超高密度随机存储器制造方法

摘要

一种超高密度随机存储器制造方法，包括：通过光刻刻蚀形成源极沟槽；在源极沟槽内填充导电材料；回刻蚀以形成凹槽；依次生长第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜；刻蚀第一、第二及第三薄膜，仅保留由凹槽上部的薄膜形成的叠层；在叠层上均匀生长一层氧化物绝缘材料层；在氧化物绝缘材料层上均匀生长一层金属导电膜层；对金属导电膜层进行垂直刻蚀，仅留下叠层侧壁上的金属导电膜层，使相邻叠层之间完全电绝缘；利用氧化物绝缘隔离材料填充相邻叠层之间的空间；继续生长第一掺杂类型的半导体薄膜和金属导电膜；对半导体薄膜和金属导电膜进行刻蚀，仅留下所述叠层上的半导体薄膜和金属导电膜；沉积氧化膜绝缘材料，将氧化膜绝缘材料的上表面磨平。

主权项

1.一种超高密度随机存储器制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上通过光刻及刻蚀形成源极沟槽；第二步骤：在源极沟槽内填充导电材料；第三步骤：对导电材料进行回刻蚀以形成凹槽；第四步骤：在衬底表面依次生长第一掺杂类型的第一薄膜、第二掺杂类型的第二薄膜以及第一掺杂类型的第三薄膜，其中凹槽被第一薄膜填充；第五步骤：对第一薄膜、第二薄膜以及第三薄膜进行刻蚀，仅保留由凹槽上部的第一薄膜、第二薄膜以及第三薄膜形成的叠层；第六步骤：在叠层上生长氧化物绝缘材料层将叠层均匀地包围住；第七步骤：在氧化物绝缘材料层均匀地生长金属导电膜层；第八步骤：对金属导电膜层进行垂直刻蚀，仅留下叠层侧壁上的金属导电膜层，而且使得相邻叠层之间完全电绝缘；第九步骤：利用氧化物绝缘隔离材料填充相邻叠层之间的空间；第十步骤：继续生长一层第一掺杂类型的半导体薄膜和一层金属导电膜；第十一步骤：对半导体薄膜和金属导电膜进行刻蚀，从而仅留下所述叠层上的半导体薄膜和金属导电膜；第十二步骤：沉积氧化膜绝缘材料，并将氧化膜绝缘材料的上表面磨平。