[发明专利]一种超高密度随机存储器制造方法

说明书

一种超高密度随机存储器制造方法，包括：通过光刻刻蚀形成源极沟槽；在源极沟槽内填充导电材料；回刻蚀以形成凹槽；依次生长第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜；刻蚀第一、第二及第三薄膜，仅保留由凹槽上部的薄膜形成的叠层；在叠层上均匀生长一层氧化物绝缘材料层；在氧化物绝缘材料层上均匀生长一层金属导电膜层；对金属导电膜层进行垂直刻蚀，仅留下叠层侧壁上的金属导电膜层，使相邻叠层之间完全电绝缘；利用氧化物绝缘隔离材料填充相邻叠层之间的空间；继续生长第一掺杂类型的半导体薄膜和金属导电膜；对半导体薄膜和金属导电膜进行刻蚀，仅留下所述叠层上的半导体薄膜和金属导电膜；沉积氧化膜绝缘材料，将氧化膜绝缘材料的上表面磨平。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种超高密度随机存储器制造方法。

背景技术

随着大数据时代的来临，数据存储器的需求迎来了爆发式增长。在中国，高速发展的半导体产业对存储器的对外依赖，已经严重影响国家高科技的发展。中国各级政府最近在存储器领域数项千亿级的投资，已经拉开了攻克存储器伟大战役的号角。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)也称动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存，具有高速度(读写速度小于50ns)，大容量(大于1GB)的特性。DRAM 的内部结构可以说是电子芯片中最简单的，是由许多重复的“单元(cell)”组成。而且，如图1所示，每一个单元由一个电容C0和一个晶体管T0(一般是p沟道 MOSFET)构成(即，1T1C)，其中晶体管T0的栅极和漏极分别连字线WL0和位线 BL0；其中的电容可储存1位(bit)数据量，充放电后电荷的多少(电势高低)分别对应二进制数据0和1。由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢失，导致电势不足而丢失数据，因此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作叫做刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。

除了DRAM以外，近年来出现了几种新型的随机存取存储器，如下述表1所示：