[发明专利]一种高密度随机存储器制造方法

摘要

一种高密度随机存储器制造方法，包括：在衬底上形成第一和第二栅极沟槽；在衬底、第一栅极沟槽和第二栅极沟槽表面形成二氧化硅绝缘层；在第一和第二栅极沟槽内分别填充导电物以形成第一栅极和第二栅极；在衬底、第一和第二栅极上生长绝缘层由此形成氧化物绝缘层；在绝缘层上生长第一掺杂类型的半导体薄膜；在半导体薄膜上生长金属导电膜；对金属导电膜形成依次排列并相互隔开的第一漏极、源极和第二漏极；对未被覆盖的半导体薄膜进行第二掺杂类型的重掺杂，形成第二区域和第四区域；生长氧化绝缘层并对氧化绝缘层进行平坦化处理，以便在第一漏极和源极之间形成第一氧化物隔离区域，并且在源极和第二漏极之间形成第二氧化物隔离区域。

主权项

1.一种高密度随机存储器制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上通过光刻及刻蚀形成第一栅极沟槽和第二栅极沟槽；第二步骤：在衬底表面、第一栅极沟槽表面和第二栅极沟槽表面形成一层二氧化硅绝缘层；第三步骤：在第一栅极沟槽和第二栅极沟槽内分别填充导电物，以形成第一栅极和第二栅极；第四步骤：在衬底、第一栅极和第二栅极上生长一层绝缘层，由此形成氧化物绝缘层；第五步骤：在绝缘层上生长一层第一掺杂类型的半导体薄膜；第六步骤：在第一掺杂类型的半导体薄膜上生长一层金属导电膜；第七步骤：对金属导电膜通过光刻及刻蚀形成依次排列并相互隔开的第一漏极、源极和第二漏极；第八步骤：通过离子注入对未被第一漏极、源极和第二漏极覆盖的半导体薄膜进行第二掺杂类型的重掺杂以改变半导体导电类型，形成第二区域和第四区域；第九步骤：生长氧化绝缘层并且对氧化绝缘层进行平坦化处理，以便在第一漏极和源极之间形成第一氧化物隔离区域，并且在源极和第二漏极之间形成第二氧化物隔离区域。