[发明专利]一种高密度随机存储器制造方法

说明书

一种高密度随机存储器制造方法，包括：在衬底上形成第一和第二栅极沟槽；在衬底、第一栅极沟槽和第二栅极沟槽表面形成二氧化硅绝缘层；在第一和第二栅极沟槽内分别填充导电物以形成第一栅极和第二栅极；在衬底、第一和第二栅极上生长绝缘层由此形成氧化物绝缘层；在绝缘层上生长第一掺杂类型的半导体薄膜；在半导体薄膜上生长金属导电膜；对金属导电膜形成依次排列并相互隔开的第一漏极、源极和第二漏极；对未被覆盖的半导体薄膜进行第二掺杂类型的重掺杂，形成第二区域和第四区域；生长氧化绝缘层并对氧化绝缘层进行平坦化处理，以便在第一漏极和源极之间形成第一氧化物隔离区域，并且在源极和第二漏极之间形成第二氧化物隔离区域。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高密度随机存储器制造方法。

背景技术

随着大数据时代的来临，数据存储器的需求迎来了爆发式增长。在中国，高速 发展的半导体产业对存储器的对外依赖，已经严重影响国家高科技的发展。中国各 级政府最近在存储器领域数项千亿级的投资，已经拉开了攻克存储器伟大战役的号 角。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)也称动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存，具有高速度(读写速度小于50ns)，大容量(大于1GB)的特性。DRAM 的内部结构可以说是电子芯片中最简单的，是由许多重复的“单元(cell)”组成。 而且，如图1所示，每一个单元由一个电容C0和一个晶体管T0(一般是p沟道 MOSFET)构成(即，1T1C)，其中晶体管T0的栅极和漏极分别连字线WL0和位线 BL0；其中的电容可储存1位(bit)数据量，充放电后电荷的多少(电势高低)分 别对应二进制数据0和1。由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢 失，导致电势不足而丢失数据，因此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作 叫做刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这个刷新的操作一直要持续到数据改变 或者断电。

除了DRAM以外，近年来出现了几种新型的随机存取存储器，如下述表1所示：