[发明专利]反极性紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710241337.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106992233A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;刘恒山;陈伟;张广庚 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 苏婷婷 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反极性紫外LED外延结构及其制备方法，所述反极性紫外LED外延结构从下向上依次包括衬底，AlN外延缓冲层，AlGaN层，P型AlvGa(1‑v)NMg接触层，P型AlN层，Al组分渐变的P型AlxGa(1‑x)N垒层，AlInGaN/AlGaN多量子阱超晶格发光层，N型AlyGa(1‑y)N层，N型AlwGa(1‑w)N接触层。本发明通过改变传统的LED延着基板从N型量子阱到P型的外延结构及生长顺序，使其变更为P型AlGaN量子阱发光层到N型AlGaN的生长方式，进而使操作时的外加电厂与量子阱内的极化电厂方向相反，提高载流子的符合效率，同时P型P型AlxGa(1‑x)N层的Al组分X沿着外延生长方向从1变至大于0的数值，利用极化电场效应产生P形参杂，进一步解决P形参杂困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种反极性紫外LED外延结构，其特征在于，所述反极性紫外LED外延结构从下向上依次包括：衬底，AlN外延缓冲层，AlGaN层，P型AlvGa(1‑v)N：Mg接触层，P型AlN层，Al组分渐变的P型AlxGa(1‑x)N垒层，AlInGaN/AlGaN多量子阱超晶格发光层，N型AlyGa(1‑y)N层，N型AlwGa(1‑w)N接触层。
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