[发明专利]太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710239748.0 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN108735825B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 李新连;于涛;张传升;宋斌斌;郭凯;左宁;赵树利 | 申请(专利权)人: | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 严政;刘依云 |
地址: | 100011 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了太阳能电池领域,具体公开了一种太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池背电极的制备方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,不同高气压钼层的厚度各自独立地为30‑200nm,不同低气压钼层的厚度各自独立地为40‑300nm,沉积不同高气压钼层的压力各自独立地为0.7‑3.0Pa,沉积不同低气压钼层的压力各自独立地为0.01‑0.5Pa。本发明利用高、低气压下制备周期性多层交替钼层结构,能够使得到的太阳能电池背电极具有良好的电学性质、附着力及高温稳定性,同时降低其残余应力。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,该方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,各个高气压钼层的厚度各自独立地为30‑200nm,各个低气压钼层的厚度各自独立地为40‑300nm,沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为0.7‑3.0Pa,沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.01‑0.5Pa。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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