[发明专利]太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法有效

申请号：	201710239748.0	申请日：	2017-04-13
公开（公告）号：	CN108735825B	公开（公告）日：	2020-04-17
发明（设计）人：	李新连;于涛;张传升;宋斌斌;郭凯;左宁;赵树利	申请（专利权）人：	神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/0749
代理公司：	北京润平知识产权代理有限公司 11283	代理人：	严政;刘依云
地址：	100011 北京市***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池电极及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池背电极的制备方法，其特征在于，该方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为背电极，各个高气压钼层的厚度各自独立地为30-200nm，各个低气压钼层的厚度各自独立地为40-300nm，沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为0.7-3.0Pa，沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.01-0.5Pa。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述循环交替的次数为2-10。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述循环交替的次数为3-6。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，各个高气压钼层的厚度各自独立地为50-100nm，各个低气压钼层的厚度各自独立地为100-200nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积各个高气压钼层的压力各自独立地为1.0-2.0Pa，沉积各个低气压钼层的压力各自独立地为0.05-0.3Pa。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积各个高气压钼层的速率各自独立地为5-30nm/min，沉积各个低气压钼层的速率各自独立地为5-20nm/min。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中，该方法还包括在所述高气压钼层和低气压钼层沉积完成之后，采用磁控溅射法在最外侧低气压钼层表面沉积表面钼层，沉积所述表面钼层的压力为0.01-3.0Pa。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中，该方法还包括在沉积高气压钼层和低气压钼层之前，先将所述基底进行预处理，所述预处理的方法包括将所述基底表面清洗干净，接着放入镀膜腔中抽真空至5.0E-3Pa以下，接着在100-200℃下烘烤以去除水汽。

9.由权利要求1-8中任意一项所述的方法制备得到的太阳能电池背电极。

10.一种太阳能电池，该太阳能电池包括权利要求9所述的太阳能电池背电极。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，该太阳能电池还包括依次层叠在所述太阳能电池背电极上的吸收层、硫化镉层、氧化锌层、氧化锌铝层和前电极。

12.一种制备太阳能电池的方法，该方法包括按照权利要求1-8中任意一项所述的方法形成太阳能电池背电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，该方法还包括在太阳能电池背电极上依次形成吸收层、硫化镉层、氧化锌层、氧化锌铝层和前电极。